基于氧化镓多层堆叠结构的PIN二极管及其制备方法(关于基于氧化镓多层堆叠结构的PIN二极管及其制备方法简介介绍)
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1、 《基于氧化镓多层堆叠结构的PIN二极管及其制备方法》是西北工业大学于2019年11月25日申请的专利,该专利公布号为CN110993707B,专利公布日为2021年6月15日,发明人是汪钰成、关赫。
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