gcd是什么意思(数学gcd是什么意思)
<h2>gcd什么意思中文
结晶二极管是由p型半导体和n型半导体构成p-n结，在其界面的两侧形成空间电荷层，形成自构筑电场，在未施加电压时，由p-n结两侧的载流子浓度差引起的扩散电流和由自构筑电场引起的漂移电流相等，成为电平衡状态
当外有正向电压偏置时，外加电场与自建电场的相互抑制作用会增加载流子的扩散电流，产生正向电流。
当从外部施加反向偏压时，外部电场和自构筑电场进一步变强，在一定反向偏压范围内与反向偏压值无关地形成反向饱和电流I0 .
施加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值，产生载流子倍增过程，产生大量电子空穴对，产生数值大的反向击穿电流，称为二极管击穿现象。
二极管的类型
二极管的种类很多，根据使用的半导体材料的不同，分为锗二极管( Ge管)和硅二极管( Si管)。 根据其用途，分为检波二极管、整流二极管、齐纳二极管、开关二极管等
<h2>gcd什么意思中文
结晶二极管是由p型半导体和n型半导体构成p-n结，在其界面的两侧形成空间电荷层，形成自构筑电场，在未施加电压时，由p-n结两侧的载流子浓度差引起的扩散电流和由自构筑电场引起的漂移电流相等，成为电平衡状态
当外有正向电压偏置时，外加电场与自建电场的相互抑制作用会增加载流子的扩散电流，产生正向电流。
当从外部施加反向偏压时，外部电场和自构筑电场进一步变强，在一定反向偏压范围内与反向偏压值无关地形成反向饱和电流I0 .
施加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值，产生载流子倍增过程，产生大量电子空穴对，产生数值大的反向击穿电流，称为二极管击穿现象。
二极管的类型
二极管的种类很多，根据使用的半导体材料的不同，分为锗二极管( Ge管)和硅二极管( Si管)。 根据其用途，分为检波二极管、整流二极管、齐纳二极管、开关二极管等
