电导调制效应(功率二极管基区电导调制效应)

<h2>基区电导调制效应

电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理范畴。 基极区域的有效宽度随集电结的反向偏置电压的变化而变化的效果。 集电结的反向电压变大时，集电结的空间电荷区域扩大，基极区域的有效宽度变窄。 因此，由于在基极区域载流子复合机会减少，所以基极电流Ib随着集电极的反向偏置电压变大而减少，即基极区域的有效电阻增大，因此也被称为电导调制效果

<h2>电导调制效应是什么？

也称为基区宽度调制效应，属于半导体物理范畴，是基区的有效宽度随集总结反向偏置电压的变化而变化的效应。

集电结的反向电压变大时，集电结的空间电荷区域扩大，基极区域的有效宽度变窄。

电导调制效应为Webster效应，是大注入时基极区电导增大的现象； 另一方面，基带宽度调制效应是Early效应，是基带宽度随结电压的变化而变化，电压-电流输出特性倾斜，输出电阻减小的现象； 另外，基区宽度扩展效应是Kirk效应，是大电流下基区宽度变大的现象。

Webster效应的直接影响是BJT基区电阻率降低(电导率增大)，发射极结注入效率降低，电流放大系数减小。

在基极区域掺杂浓度分布均匀的晶体管，例如合金晶体管中，引起大电流下电流放大率b下降的主要原因是Webster效应。 但是，在Si平面型晶体管中，由于基极区域的掺杂浓度稍高，所以Webster效应的影响大多较小(在这种情况下，大电流时b降低的主要原因是Kirk效应)。

总之，BJT在大电流(大注入)工作时，容易出现发射极电流的集电极效应、Kirk效应、Webster效应。 这些现象对BJT操作是二次效应，但在设计大功率器件，特别是高频大功率晶体管时，是必须考虑和解决的重要问题。

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